(资料图片)
近日,三星Galaxy S23 FE在Geekbench 6 OpenCL上亮相,取得了8986分的跑分成绩。从CPU信息来看,可以基本确认该手机采用了Exynos 2200芯片。
据了解,Exynos 2200是三星采用4纳米EUV工艺打造的芯片,采用了“1+3+4”设计架构。其中,超大核心采用了Cortex X2,大核心采用了Cortex A710,小核心采用了Cortex A510。此外,该芯片还搭载了基于AMD RDNA 2架构的Xclipse 920 GPU。
有消息称,新机将配备一块刷新率为120Hz的OLED屏幕,并且前置摄像头为12MP,后置摄像头为50MP主摄像头、8MP长焦镜头和12MP超广角镜头。此外,手机内置了4500mAh的电池,并支持25W的快速充电。
此前,OhLeaks曾曝光了三星Galaxy S23 FE的渲染图。整体设计看起来变化不大,延续了前代的外观设计。后盖采用了竖排三摄方案,边角处理非常圆润,预计手感较为舒适。
据悉,三星将于7月26日19:00召开全球新品发布会,届时有望发布第五代折叠屏手机Galaxy Z Fold 5和Galaxy Z Flip 5,同时也有可能会公布Galaxy S23 FE的更多详情。敬请期待!
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